Anunciadas a principios de este año, las memorias RAM DDR3 Green de 2Gb clase 30 nm de Samsung han entrado en producción en masa y estará listo para satisfacer la necesidad de velocidad y eficiencia energética que la nueva generación de servidores optimizados para cloud computing y virtualización requieren.
Los chips DDR3 de 30nm de Samsung pueden trabajar a 1866 MHz @1.35V, y en 2133 MHz @ 1.5V, y se espera que se utilicen para equipos de sobremesa, portátiles, servidores, notebooks y dispositivos móviles.
Es un fuerte aumento de la demanda de chips de memoria DDR3 y satisfacemos esta necesidad con la introducción oportuna de las soluciones de memorias DDR3 fabricadas en 30 nm, Los nuevos módulos son capaces de entregar la mejor experiencia al usuario, ofreciendo un rendimiento extremadamente alto y un menor consumo de energía para las PCs y aplicaciones de servidor diseñados para aprovechar los nuevos procesadores multi-core.
Samsung ya está planeando subir la apuesta en los 30nm, y empezara a hacer kits de 4 Gb DDR3 usando este proceso a finales de este año.
La medición nanométrica describe el tamaño de los transistores microscópicos y otras partes en un chip. Un nanómetro es una milmillonésima de un metro, aproximadamente del tamaño de unos pocos átomos combinados.
ReplyDeleteEl desarrollo de la tecnología de fabricación de chips más pequeños es crucial para satisfacer la demanda del usuario para dispositivos pequeños que pueden realizar muchas funciones, tales como teléfonos inteligentes que funcionan como un ordenador, cámara, reproductor de música y teléfono. Más pequeño grabado tecnologías también permiten a las empresas para aumentar la velocidad de chips y reducir el consumo de energía.
Los avances en la tecnología de fabricación de chips de abaratamiento de costes en el tiempo, un gran beneficio para los consumidores.
La tecnología de 30 nm aumenta la productividad en un 60 por ciento sobre la tecnología de 40nm mayores en los chips DDR3, dijo Samsung. Los fabricantes de chips por lo general no pasan este ahorro de costes a los consumidores de inmediato, porque primero tiene que recuperar las inversiones masivas necesarias para desplegar la tecnología.
Hay más chips DRAM hecho todos los años que cualquier otro tipo de chip de computadora. Son vitales para la velocidad general de cómputo, ya que la tienda funciona como se está haciendo en la pantalla, desde escribir una nota a la edición de un vídeo. Más DRAM es necesaria para la multitarea y para aplicaciones de gran tamaño, como juegos o multimedia.
Las memorias DDR3 en 30nm de Samsung son chips de tercera generación, consumen 30% menos de energía que los actuales chips de 50nm, estos productos también son menos costosos de fabricar, por eso tienen que aparecer con menor precio. Hablamos de una eficiencia de fabricación del 200% frente a RAM DDR3 de 50 nm,
ReplyDeletese conoce como Green DDR3 y llega tras el anuncio de Intel y Micron de chips NAND Flash de 25nm. Como nota interesante tenemos que los nuevos chip harán que los módulos de RAM no superen el 3% del consumo total de un equipo completo, manteniendo un equilibrio entre rendimiento y consumo.
El chip DDR3 30nm de clase proporciona un mejor rendimiento. SAMSUNG también tiene en cuenta esto traerá un 20 por ciento de ahorro de energía para aplicaciones de servidor que utiliza la mayoría de 30nm DDR3.
ReplyDeleteDRAM DDR3 nano-clase entregar la mejor experiencia de usuario mayor satisfacción, y rendimiento extremadamente alto con un menor consumo de energía para PC y aplicaciones de servidor diseñado para aprovechar los nuevos procesadores multi-core.
Samsung dijo que será la mejor, suministrando hasta 1.866Gbps a 1.35V para aplicaciones de servidor. PC memory modules should deliver 2.133Gbps at 1.5V - 3.5 times faster than DDR2 and 1.6 times faster than the currently standard 50nm DDR3. Módulos de memoria de la PC debe entregar 2.133Gbps a 1,5 V - 3,5 veces más rápido que DDR2 y 1,6 veces más rápido que el estándar DDR3 50nm actualmente.
ASUS desarrolla la memoria DDR3 más rápida del mundo.
ReplyDeleteSus nuevas placas base incorporan potentes funciones de aceleración en un entorno plenamente seguro.
ASUS ha presentado hoy el resultado de su esfuerzo –realizado en colaboración con la empresa G.Skill–, por alcanzar una velocidad récord de 2.5 GHz para los módulos de memoria DDR3. Una labor revolucionaria que ha supuesto un intenso trabajo conjunto entre ambas compañías, y que finalmente ha sido alcanzado con los modelos de placas base ASUS P7P55D-E Deluxe y P7P55D-E EVO, que incorporan en su diseño unas potentes funciones de aceleración.
Con el propósito de aprovechar al máximo la potencia de los procesadores, la unidad DDR3 se modificó para trabajar con las CPU i5/i7. La meta no fue, únicamente, aumentar la velocidad, sino más bien eliminar los cuellos de botella y las limitaciones que tradicionalmente han frenado la productividad y las posibilidades de entretenimiento en los equipos PC.
Los módulos DDR3 a 2.5GHz DDR3 de doble canal serán puestos a la venta por G.Skill como parte de su línea de productos Trident: Rápida, útil y fiable.
Batir records de velocidad no es una tarea excesivamente difícil; el verdadero reto está en hacerlo de un modo fiable y seguro. Por ese motivo, estos módulos han sido sometidos a intensas pruebas durante un periodo de tiempo suficiente como para asegurar que los usuarios que busquen extraer el máximo rendimiento del overclocking puedan disfrutar de ellos sin complicaciones.
La Serie ASUS P7H57D/P7H55 es compatible con los nuevos procesadores Intel® Core™ i7, Core™ i5, Core™ i3 y Pentium®, incluyendo tres modelos en formato ATX y cuatro mATX que ofrecen la mejor relación calidad/precio para la nueva plataforma LGA1156 de Intel.
SAMSUNG SACARÁ MÓDULOS RAM DDR3 DE 32 GB
ReplyDeleteSamsung tiene este año como misión convencer a los fabricantes de que sus nuevos chips para memorias RAM DDR3 son buenas tanto por poder alcanzar módulos de hasta 32 GB como por su bajo consumo respecto a los módulos DDR3 actuales. La clave está en la tecnología de 50 nm que emplean para construirlas. El resultado es un chip de 4 Gb DDR3 que da como resultado módulos de hasta 32 GB de memoria RAM.
Las memorias de 16 y 32 GB irán destinadas a los servidores y sistemas similares, mientras que los ordenadores de sobremesa y portátiles obtendrán las ventajas de los módulos de 8 GB. El uso de menos chips para conseguir lo mismo y su eficacia energética hará que la empresa adopte la tecnología de 50 nm en todas sus memorias en el futuro.
MEMORIAS KINGSTON DDR3 PARA PORTÁTILES
Ahora que parece que los ordenadores empiezan a arrancar con las memorias DDR3, los diferentes fabricantes de estos componentes están ya lanzando interesantes productos al respecto. Lo último, las Kingston HyperX DDR3 para portátiles.
Dichas memorias, modelo KHX8500S3ULK2/4G, forman un pack constituido por dos módulos de 2 GB cada uno, en total 4 GB DDR3 para portátiles con una frecuencia de 1.066 Mhz. y latencias muy bajas, 5-5-5-15. Pertenecen a la gama HyperX, la gama más alta de memorias de Kingston y destinada a usuarios avanzados, gamers o profesionales.